5V工艺做USB1.模拟PHY

crown911 · 发表于 2014-11-18 14:50:44

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

在做driver端的时候，DM（DM比DP端多了个1.5K上拉电阻） DP的波形随工艺角温度变化比较大，始终无法满足在所有工艺角或温度条件下都能满足USB协议中规定的DM DP的要求（比如-40°满足了 85°就满足不了，SS满足了，FF就满足不了）。
由于不方便贴图，描述一下具体的电路结构：
LOW-SPEED时
电流是V/R的方法来实现的，驱动管前级做了摆率控制。基本上就是比较典型的USB驱动电路的结构。

求各位大神指点一下

waterkingdom · 发表于 2014-12-26 21:44:44

全速应该没啥问题，低速设备是需要挂200pF到450pF的，官方标准，挂上去1.5K上拉就不那么明显了

semico_ljj · 发表于 2014-12-28 16:46:01

关注。。

liuhuigino · 发表于 2022-9-10 10:35:07

关注

[求助] 5V工艺做USB1.模拟PHY

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

相关帖子

站长推荐 /2