在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 4779|回复: 6

[讨论] 复用输入输出IO ESD设计

[复制链接]
发表于 2014-11-2 00:01:01 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
如题,请问复用输入输出IO ESD设计主要有哪些需要注意到的问题,对于200MHz 左右的信号算是频率很高了吗?200MHz的信号周期才5个纳秒ESD脉冲上升10ns,是不是不能再使用触发导通的ESD结构?
发表于 2015-3-11 17:44:28 | 显示全部楼层
当然可以用啊
注意ESD打击时电压是高于正常工作电压的.
仿真时看正常工作时ESD保护器件漏电在可接受范围内即可.
发表于 2016-5-8 14:02:37 | 显示全部楼层
同意2楼
另外ESD脉冲上升10ns 这个是HBM的? 实际过程中线缆接口对接的ESD 比如USB等的上升沿都在1ns以内 CDM在几十 ps 左右
发表于 2016-5-8 21:32:35 | 显示全部楼层
另外 HBM10纳秒 HMM不到1ns CDM和CDE都可能小于250ps
发表于 2016-5-10 14:46:09 | 显示全部楼层
能不能用得看你的RC响应时间是多少了!
发表于 2018-8-22 14:37:09 | 显示全部楼层
On-Chip ESD Protection for Integrated Circuits
发表于 2018-8-29 11:07:35 | 显示全部楼层
THNAK
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-22 15:34 , Processed in 0.021176 second(s), 10 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表