65nm工艺2.5V(OD3.3)器件使用问题

zhang_lisa · 发表于 2014-10-23 10:23:57

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在65nm工艺中有2.5V overdrive 到3.3V的管子，查了下器件栅氧厚度一样都是56A，实际都是2.5V的管子；不同的是2.5v管子沟长为0.28um，OD3.3v管子沟长N：0.4um,P：0.5um，foundry提供2.5V管子（10/0.28）的BVDS 为6V。在我现在的设计里2.5V和3.3V 管子，但是原设计（反向国外电路）接3.3V 电压的管子也都是用的0.28um的沟长。
请教：我是否也可以参考原设计仍用2.5V 管子设计接3.3V电压那，可靠性风险大吗，另外56A的栅氧击穿电压大概多少啊。

fuyibin · 发表于 2014-10-23 10:47:37

gate oxide 耐压没问题，就是channel overstress 和punch through
短时间也没问题，时间长了， IV特性会退化

semico_ljj · 发表于 2014-10-23 10:57:43

使用中主要区别在哪？

zhang_lisa · 发表于 2014-10-23 11:20:07

区别是2.5V主要用在bandgap等模拟电路中；3.3V主要在端口部分，不仅用于驱动电路，还包括前级电平转换等控制电路。

mk2003 · 发表于 2014-10-23 13:55:12

同用过tsmc 40nm，我记得2.5和od 3.3的阈值电压不一样。2.5在9/0.243时阈值电压小一些。我搭车问下，风险使用56A的 gate oxide 用到4.3V ，会有哪些问题。

zhang_lisa · 发表于 2014-10-23 14:05:27

看了下，阈值电压没有太大差别，都是0.58左右，貌似这个不是主要矛盾

mk2003 · 发表于 2014-10-23 15:08:51

回复 6# zhang_lisa

那就是工艺差别了。tsmc里两个差了130多mv.

cml_580 · 发表于 2018-3-26 20:36:22

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