自举开关MOS的体端连接问题

momingdewo · 发表于 2014-10-17 17:00:52

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最近做bootstrapped switch，但是不知道做开关的mos管的体端怎么连。一般NMOS都是连最低电位吧，但是栅极电压被抬高，会不会把这个NMOS击穿呢？难道要用深阱的器件单独控制NMOS的bulk端？请大神们解答。谢谢了! QQ截图20141017001534.png

semico_ljj · 发表于 2014-10-17 20:04:16

你要升压到几V？
没有独立Pwell？

momingdewo · 发表于 2014-10-18 13:57:59

回复 2# semico_ljj

电源电压1.2V，输入信号的共模在600mV上，光是传输共模信号，开关MOS的栅极电压已经到了1.8V，但是可以保证Vgs和Vgd都在1.2V以内。然而，对于N阱工艺，NMOS不是体端要连最低电平么，Vgb的电压会不会造成该mos管的击穿呢？求指导，谢谢！

sc_filter_2014 · 发表于 2014-11-4 10:33:58

求论文

momingdewo · 发表于 2015-7-21 16:12:41

本帖最后由 momingdewo 于 2015-7-21 16:19 编辑

回复 4# sc_filter_2014

抱歉，隔了这么久才回复。

[url=][/url]
[url=][url=]2001_JSSC_Very low-voltage dig ...[/url][/url]

晕，不知道有没有传成功。论文名为
2001_JSSC_Very low-voltage digital-audio delta sigma modulator with 88-db dynamic range using local switch bootstrapping

Mrmentor · 发表于 2016-6-2 10:32:08

我看到一种方法是在采样管导通时将其体端接到其源极，在采样管关断时其体端接到GND。不知道楼主最后是如何解决这个问题的？

坏蛋哪没有 · 发表于 2017-3-13 20:23:33

回复 6# Mrmentor

开关管NMOS的B端一会儿连gnd,一会儿连其源端，加上图中1.2V标示旁的PMOS（其S与B相连），岂不是需要双阱工艺？？？

wenzhi281 · 发表于 2017-3-13 21:12:54

kkkkkkkkkkkkkk

Mrmentor · 发表于 2017-3-15 09:52:32

回复 7# 坏蛋哪没有

双阱工艺也可以，我们采用的是N阱工艺中的深N阱管，可以允许NMOS管衬底接源极

hanks2007 · 发表于 2018-10-6 14:25:04

Very Good ! Thank you !

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