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[求助] 阱周围的一圈多晶的作用

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发表于 2014-9-29 10:35:14 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 penguinlee 于 2014-9-30 10:33 编辑

这是自己判断的BJT的版图,但是对B区的接触做在多晶上? bjt.jpg 这一圈多晶作用是啥吖,还有E区一圈的多晶是啥作用。还是我判断错误?求大神们指点一二 染色层.jpg 金属层.jpg
发表于 2014-9-29 11:54:09 | 显示全部楼层
联系原厂,问问是不是poly
 楼主| 发表于 2014-9-29 12:09:43 | 显示全部楼层
回复 2# maomao198477


    是poly吖
发表于 2014-9-29 14:04:50 | 显示全部楼层
如果是poly,那中间那一堆也是poly,怎么能得出是BJT的结论?
 楼主| 发表于 2014-9-29 14:33:27 | 显示全部楼层
回复 4# fuyibin


    3端器件,不是mos就是bjt了,但是又不像是mos,更觉得是bjt,所以才更不知道poly的作用。或者您有啥见解,不妨说出来,给我个参考吧,谢大神
发表于 2014-9-29 16:00:32 | 显示全部楼层
先把层次弄清楚,层次的确定可以根据其它常规的器件
哪儿是poly,哪儿是od,不要在哪儿不找边际的猜
你见过bipolar的base接在poly上的?
这东西也许是个LDMOS或其它器件
 楼主| 发表于 2014-9-30 10:31:30 | 显示全部楼层
回复 6# fuyibin

od是啥意思,我是刚抠版图的菜鸟,ldmos不是栅和源区有部分重叠的嘛?
   我把几层给您看下,帮忙分析下?

多晶

多晶

染色

染色

金属

金属
发表于 2014-9-30 13:09:11 | 显示全部楼层
回复 7# penguinlee

这就是个LDMOS吧,不过和普通的LDMOS还是有点差别
中间那个区域5排contact是source,周边的poly就是gate,gate 内圈部分在栅氧区,外圈的部分在场氧上
第二张照片拔掉了所有的metal和poly,黑的区域是露出了silicon,白的区域是oxide,但是中间那个区域的oxide比外面其它的field oxide薄,所以还是现实出很明晰的边界。
再外圈的环形poly gate和drain接在一起,我猜这是为了高压下开启场区,减小导通电阻,不过与耐压相违背。
最外圈的poly不知用来干什么,也许接地。
发表于 2014-9-30 16:33:48 | 显示全部楼层
这个问题我也遇到过,求高手赐教,可能是硅化吗?
发表于 2014-9-30 23:35:43 | 显示全部楼层
从第二张图来看,我比较倾向于是一个二极管。因为亮暗程度不一样,应该是N-WELL与Pplus。
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