关于高速SAR ADC 参考电压 banding 寄生电感的问题

bright_pan · 发表于 2017-2-10 15:56:44

回复 1# htc072201007

而且这个本来就是折中的，你的片上VREF buffer如果要能有很快的反应速度，补充电荷让saradc很快建立，就需要很大的功耗；或者就是足够大的电容补充电荷。

电容大肯定就buffer带宽小了。

上次版上有人发了MTK liu-chunlin的那个结果，buffer, source follow的，12bit 200M
nm工艺，也是冗余电容的。你可以考虑做这样一个200M的，然后数字逻辑做4次average
输出，可能结果更好。如果你一定要追求高精度的话。

wjx197733 · 发表于 2017-2-10 17:01:12

8位50MHz倒是做过，12位50MHz我就不敢高攀了。楼主能分享一下比较器的结构吗？

wushangkeji · 发表于 2017-2-25 13:46:52

多谢多谢受教了

peterlin2010 · 发表于 2017-2-25 14:35:50

回复 htc072201007

而且这个本来就是折中的，你的片上VREF buffer如果要能有很快的反应速度，补充电荷让saradc很快建立，就需要很大的功耗；或者就是足够大的电容补充电荷。

电容大肯定就buffer带宽小了。

上次版上有人发了MTK liu-chunlin的那个结果，buffer, source follow的，12bit 200M
nm工艺，也是冗余电容的。你可以考虑做这样一个200M的，然后数字逻辑做4次average
输出，可能结果更好。如果你一定要追求高精度的话。..
bright_pan 发表于 2017-2-10 15:56

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