关于高速SAR ADC 参考电压 banding 寄生电感的问题

htc072201007 · 发表于 2014-9-18 14:36:10

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在高速sar adc 设计 12bit 50Msps 内部环路延时约1ns
在仿真时带上绑定线的寄生电感4nH时参考电压的建立时间1ns根本就不够；在vref 上加80p的电容也扛不住；请问大神些有没有人遇到高同样的问题
能否指点迷津；做高速sar ADC 别人会遇到这样的一个问题；

现在第一版中在vref上加了几欧的电阻和80p左右的RC组成滤波网络；虽然在仿真中动态性能没有太大的变话；但是实际测试效果不是很理想现在只有10.6bit的样子；现在想改版但是目前没有一个好的解决办法；求高手解答

dtt0000 · 发表于 2014-9-18 15:49:23

片上产生reference

htc072201007 · 发表于 2014-9-18 15:54:06

回复 2# dtt0000

要外挂电容都会遇到绑定线的问题，如果buffer不外挂电容的话设计难点不低于ADC的设计；

dtt0000 · 发表于 2014-9-19 09:26:54

回复 dtt0000

要外挂电容都会遇到绑定线的问题，如果buffer不外挂电容的话设计难点不低于ADC的设计；
htc072201007 发表于 2014-9-18 15:54

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SAR + 片上buffer，很常见；对于高速的SAR来说，除非设计上有redundency，或者是ADI那篇14bit SAR里面的方法，否则bonding效应和DAC的settling都会要求片上的高功耗的buffer；

不知道为什么你会觉得“buffer不外挂电容的话设计难点不低于ADC的设计”。