[转]几道analog面试题

kong3155 · 发表于 2011-1-5 13:40:19

学习一下。

sniper711 · 发表于 2011-1-9 01:31:42

还好，不是很难的题

darkduck · 发表于 2011-1-12 16:26:51

先回个帖，慢慢看。

eknngx · 发表于 2011-1-12 22:36:50

謝謝大哥的分享

cj578009030 · 发表于 2011-1-18 20:48:01

是该好好看书，把基础打好。。。

398425704 · 发表于 2011-1-19 17:04:16

好贴，给了我再看几遍razavi的动力。。。

cstpope · 发表于 2011-1-20 19:35:26

hao a xiexie a

808 · 发表于 2011-1-22 17:27:33

看了之后，受益匪浅，最近我在投简历，跳槽。发现运放问的最多的是噪声和稳定性（补偿），我说我做过LDO。他们就问我LDO的补偿，DCDC的环路特性等。整理一下不是很懂的：
1.两级运放随着输出电流增加，极点怎么移动？
2.运放的PSRR如何？受什么影响，怎么提高？
3.DCDC环路特性？
望达人指点！

liqiaoyongdan · 发表于 2011-1-28 02:26:51

这些答案其实在拉扎维的书上都可以找到
哎,当年灿叔上课的时候没有好好的听,认真的学
现在想来,追悔莫及啊
magicdog回答的很好,令人佩服
补充一点个人的观点:
第4问:主极点内移是由于MILLER EFFECT,第二极点外移是因为
MILLER电容和输出管形成了一条高频通路,在高频时降低了输出
节点的阻抗,当然极点也会相应的往高频方向移动!
第5问:1/f噪声主要是MOS管栅氧化层与沟道(硅)的界面处的悬挂键,以及杂质/掺杂离子等引起的,记得以前做MOS C-V实验画低频/高频曲线,就是奇怪/诡异的曲线产生,
PMOS由于是Buried channel,而且it's carrier is hole instead of electron,所以噪声会小一点吧(也许是因为空穴有效质量比电子大一点吧,不易被干扰,这是我猜的 )
第6问:我觉得OFFSET失调电压主要是由于输入管的Vth失调导致的,
一般MOS的Vos在几mV很正常,还有就是可能电流镜的误差,器件的失配,干扰源的位置
等等,反正Layout时要对称对称再对称!

ljrdcb · 发表于 2011-2-11 11:52:49

怒顶好贴！

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