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[讨论] 关于SOI工艺

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发表于 2014-9-4 16:50:33 | 显示全部楼层 |阅读模式

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个人理解SOT相比体硅工艺,性能好了很多,而且衬底噪声等问题也不复存在。为什么foundry厂很少提供SOI工艺呢?
是实现的难度远远大于带来的好处吗?
发表于 2014-9-4 17:54:26 | 显示全部楼层
贵啊, 成本问题,再baidu下
发表于 2014-9-6 21:14:16 | 显示全部楼层
希望大牛来解释下
发表于 2014-9-15 10:36:23 | 显示全部楼层
蓝宝石工艺wafer价格不得了阿
发表于 2014-9-19 16:38:52 | 显示全部楼层
本帖最后由 wswh5050 于 2014-9-19 16:40 编辑

一个是贵,便宜一点的PDSOI有floating gate效应,FDSOI贵,尤其是ETSOI和UTBB,成本太高,还不如做FinFET。另外一个就是散热问题,SiO2的导热差啊
发表于 2015-4-8 15:28:16 | 显示全部楼层
成本问题还没解决...
发表于 2015-4-9 13:14:53 | 显示全部楼层
性价比差,不如cmos来的好用
发表于 2015-4-16 12:44:19 | 显示全部楼层
SOI衬底成本明显高于Si啊
发表于 2015-4-18 06:59:40 | 显示全部楼层
有听说SOI 是两片WAFER 黏一起来方式  
技术难
做的不多

但现在 越来越多须要 连MEM 类都须要使用SOI
发表于 2016-3-2 11:18:24 | 显示全部楼层
能讲具体点吗?
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