在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 2463|回复: 1

如何在标准的CMOS工艺中实现两端悬浮的二极管?

[复制链接]
发表于 2006-2-5 19:18:15 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
我要在一个标准的数字CMOS工艺中实现两端悬浮的二极管, 也就是说, 二极管的两端不是接地的,  一般有两种方法, 一种是坐在p衬底中, 另一种是做在n阱中的,  第一中方法必须反偏. 第二种方法存在很大的电流从p+流向衬底. 看来也不适合.
有没有其它好的方法在 标准的CMOS工艺中实现两端悬浮的二极管?

多谢各位!!!
发表于 2007-4-9 15:53:43 | 显示全部楼层
好文章啊!
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-15 17:27 , Processed in 0.014933 second(s), 9 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表