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[求助] NT_N layer的作用

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发表于 2014-8-13 19:59:46 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在tsmc 90nm和40nm的制成中,能用到 NT_N layer么? NT_N有什么作用?
发表于 2014-8-13 21:25:11 | 显示全部楼层
不知扫
发表于 2014-8-14 09:31:52 | 显示全部楼层
native device layer.
发表于 2014-8-14 10:04:20 | 显示全部楼层
我看design里面描述的是no native Vt NMOS devices
 楼主| 发表于 2014-8-14 10:21:08 | 显示全部楼层
回复 3# li5452859


   那么这层layer 可以用作组成device的层次么? 这个 native device 指的是什么?
 楼主| 发表于 2014-8-14 10:21:51 | 显示全部楼层
发表于 2014-8-14 11:04:36 | 显示全部楼层
不掺杂的N active区域,即0阈值管子,主要是起隔离等作用的,IO里面有的有,
发表于 2014-8-14 13:47:33 | 显示全部楼层
阈值电压为零的NMOS,或者用作高压工艺中的隔离?
发表于 2014-8-22 12:04:19 | 显示全部楼层
在rf layout中经常用来做隔离使用
发表于 2014-8-22 12:47:02 | 显示全部楼层


不掺杂的N active区域,即0阈值管子,主要是起隔离等作用的,IO里面有的有,
icfbicfb 发表于 2014-8-14 11:04



NT_N 是native nmos, 不是不掺杂N, 应该是不做PWELL的psub
由于衬底浓度低,所以做出来的nmosfet Vth比较小,接近0
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