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楼主: hangji85

[求助] NT_N layer的作用

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发表于 2014-9-3 10:56:36 | 显示全部楼层
十楼解释得很正确
发表于 2015-8-24 19:28:34 | 显示全部楼层
回复 10# fuyibin


    对于N-well工艺来讲,比如TSMC65nm 工艺,sub是p-,没有P-well, 这一层是不是可以理解为一种n-注入,中和掉sub中的p-,形成一种 接近本征的半导体呢?
发表于 2024-10-21 11:01:47 | 显示全部楼层


fuyibin 发表于 2014-8-22 12:47
NT_N 是native nmos, 不是不掺杂N, 应该是不做PWELL的psub
由于衬底浓度低,所以做出来的nmosfet Vth比 ...


为啥掺杂浓度低了 Vth会变小呢
发表于 2024-10-24 20:26:55 | 显示全部楼层
加这个层次没有注入,高阻,可用与隔离
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