finFET讨论

Alicezw

关于finFET新手来报道,大家多讨论一下这方面的技术阿?

icfbicfb

现在没多少人做这个的，太先进了，

Alicezw

回复 2# icfbicfb


    所以要讨论讨论啊,哈哈!有这方面兴趣朋友可以聊聊!

herrzhou

回复  icfbicfb


    所以要讨论讨论啊,哈哈!有这方面兴趣朋友可以聊聊!
Alicezw 发表于 2014-6-27 16:17

                               
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    你先分享下你的经验啊

Alicezw

回复 4# herrzhou


   你看我写的不是说新手嘛。新手就是什么都不懂啊，所以在这里求教啊！

herrzhou

回复  herrzhou


   你看我写的不是说新手嘛。新手就是什么都不懂啊，所以在这里求教啊！
Alicezw 发表于 2014-6-29 19:55

                               
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    那就不是讨论了，那是请教

xjg@hmes

目前intel的14nmFinfet较为成熟一些。其他foundry，如tsmc、gf、samsung也相继推出，
umc也会在今年推出，目前在PQV阶段。
做过tsmc和umc的项目，说一点关于process方面的感受。
后端的话，
相对复杂的techfile定义，会导致routing、power极难收敛；
DPT要求底层的配线对应odd、even cycle，当然这些问题你可以在tool中设定制约，但是碰到紧缺的routing source和complex  floorplan，这些问题都会出来并且很难处理，会带来很多负面影响（timing closure等）；
FinFrid的要求，使得floorplan不会像以前那么随意摆放，需要手动调整macro的位置；
extraction RC with DPT effect；
physical verification方面，perfer、nonprefer的routing direction的metal对应不同的width和space，如果加上poor technology file，想要fix简直就是一项体力活；

Finfet技术也带来了一些优点：
Better performance
ION increases substantially on a per unit area basis because channel surface extends into 3rd dimension.
FinFETs have potential performance benefits.
Reduced leakage current
Fully depleted devices have substantial sub-threshold leakage advantage and reduced short channel effects.
FinFETs enable less leaky and more interesting digital circuits.
Meet lower power requirement for mobile device
Voltage scaling
Steep sub-threshold slopes enables lower VTs for same or less leakage and therefore potential for voltage scaling
High density for area save

先想到这些 ，， 有时间慢慢补充 。。

icfbicfb

pr 工作量剧增，

Alicezw

回复 7# xjg@hmes


    谢谢您的分享！

Alicezw

回复 8# icfbicfb


比如说呢？谢谢！相对于之前的CMOS工艺，PR增加了哪些工作量？