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楼主: wbautumn

[求助] ESD与latch up的区别

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发表于 2019-7-18 09:53:36 | 显示全部楼层
SD是高压击穿了栅,latch up是电流太大烧毁了器件
发表于 2019-8-1 09:13:29 | 显示全部楼层
谢谢分享!
发表于 2019-8-23 16:52:01 | 显示全部楼层
你们都做ESD的吗
发表于 2019-9-6 16:56:53 | 显示全部楼层
Latch-Up是指芯片中power pin 和ground pin之间由于PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一个低阻抗通路。它的存在会使power pin和ground pin之间产生大电流。过大的电流有可能会永久性的破坏芯片的基本结构。
ESD即静电放电效应,是芯片制造和使用中最容易破坏芯片的因素之一。简单来说就是正负电荷的过快释放,产生极大的电压差,导致芯片被击穿。
thanks for sharing
发表于 2020-3-23 10:57:02 | 显示全部楼层
GATE 到DRAIN或SOURCE 的LEAKAGE变大是不是也算ESD ?
发表于 2020-4-27 10:34:36 | 显示全部楼层


LUCK168168 发表于 2020-3-23 10:57
GATE 到DRAIN或SOURCE 的LEAKAGE变大是不是也算ESD ?


担心预防发生ESD所做的处理,是电流更均匀,避免ESD。

发表于 2020-5-18 16:48:18 | 显示全部楼层
受教了
发表于 2020-6-15 13:59:01 | 显示全部楼层
Latch up can be caused by ESD.
发表于 2020-8-26 10:57:08 | 显示全部楼层
谢谢楼上的兄弟伙。
发表于 2020-9-16 21:50:44 | 显示全部楼层
ESD和相关的瞬变电压都会引起latch up
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