ESD与latch up的区别

wbautumn · 发表于 2014-6-24 15:17:04

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理解中，ESD是有大的瞬态电压通过pad传至芯片内部，管子被击穿从而造成芯片无法工作。而latch up是芯片内部形成了大电流的通路，从而造成芯片失效。不知道这样的理解对吗？还是ESD和latch up之间也会有相互的影响呢？请教各位。

kenliu · 发表于 2014-6-29 13:03:42

回复 1# wbautumn

两个概念，没联系。这问题很多书上有，自己去看书吧。

icfbicfb · 发表于 2014-7-3 13:55:28

没啥关系吧， esd比latchup还复杂，理解起来

oitop · 发表于 2014-7-10 12:09:02

ESD是高压击穿了栅，latch up是电流太大烧毁了器件

pgx133 · 发表于 2014-8-28 13:47:35

ESD事件可导致介质击穿；
导电通路大电流熔断；
PN结击穿短路。
LATCHUP是由于外界或内部的干扰，使寄生的PNP与NPN形成正反馈，电流不断放大导致芯片烧毁。

enian · 发表于 2014-9-30 23:40:56

首先来源就不同 esd就那么点能量完了就完了他还latch个毛

之所以放一块说是因为正常工作的时候 esd单元可能会出现latch 最明显就是scr那玩意了

zhongcan · 发表于 2019-4-9 09:51:05

谢谢分享!

bibby1206 · 发表于 2019-5-6 17:15:33

我觉得这个解释比较直观：
Latch-Up是指芯片中power pin 和ground pin之间由于PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一个低阻抗通路。它的存在会使power pin和ground pin之间产生大电流。过大的电流有可能会永久性的破坏芯片的基本结构。
ESD即静电放电效应，是芯片制造和使用中最容易破坏芯片的因素之一。简单来说就是正负电荷的过快释放，产生极大的电压差，导致芯片被击穿。

bruceok · 发表于 2019-5-31 22:29:17

thanks for sharing

aaron_shiu · 发表于 2019-6-18 13:13:57

真是好的解釋

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