前后仿真差距很大

lilun1988 · 发表于 2014-5-23 11:22:06

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各位大神: 一个偏置电流源的后仿真结果和前仿真差别很大，即使不提RC也有很大差距，还有就是提了RC和不提RC的网表后仿真结果相同，请问是什么原因啊，是仿真方法不对还是版图问题啊

mercutio · 发表于 2014-5-23 16:16:08

Device的后仿参数也会对电路特性影响很大。在模拟设计中，要特别考虑后端版图对device特性的影响。

scy8080 · 发表于 2014-5-23 17:30:26

0.13um及以上工艺，前后仿差距加大，因为sa,sb和sc的作用。

rockforever · 发表于 2014-5-23 20:06:37

仔细检查一下不提任何参数的提取电路，比较容易出问题的地方在于multiplier和finger。如果rule file写得不好，会提出multiplier个并联的管子，但在每个管子中又同时还保留有multiplier的参数。finger的问题同前述。

semico_ljj · 发表于 2014-5-23 23:30:54

差别很大有多大呢？
Ibias照理不会太大

semico_ljj · 发表于 2014-5-23 23:31:53

再先进工艺，只要L不是最小值不会差别太大

pop326 · 发表于 2014-5-25 15:27:44

先看抽RC正不正確

liuycto · 发表于 2014-5-26 16:28:58

回复 1# lilun1988
请你明确你采用的工艺节点吧。

mikeppq · 发表于 2014-5-26 17:07:04

都有些什么器件，如果有bipolar器件就要手动改一下网表。
后仿提出来是什么？schematic还是netlist？
schematic view提电阻会有问题，最好用netlist。

lilun1988 · 发表于 2014-5-28 08:52:09

回复 2# mercutio
谢谢，已经找到问题了，是在提取后仿网表时，三端电阻的子电路中的宽和长和子电路定义的parameter形式的宽和长名字不对应，所以每次仿真时电阻都是默认的大小了，改下名字就好了。

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