基于CMOS基准设计的部分电路问题

herolove小白 · 发表于 2014-5-25 16:30:12

MOS应都工作在饱和区，pnp的基极应接地才有你想要的Vbe撒

semico_ljj · 发表于 2014-5-25 17:14:32

newrfdesign · 发表于 2018-6-2 14:30:19

thanks

人生豪迈 · 发表于 2018-6-5 19:53:45

base should be connected to gnd

mssgzw · 发表于 2018-6-7 23:12:27

I2号PFET的D，与下面的PNP之间没有串电阻，而I3号PFET的D，与下面的PNP之间又串了电阻，
为什么看起来你1和2想做成对称电路，而实际上你没有呢、？

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