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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 基于CMOS基准设计的部分电路问题
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查看: 6784|回复: 24

[求助] 基于CMOS基准设计的部分电路问题

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xionghaian
发表于 2014-5-21 20:00:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 xionghaian 于 2014-5-21 20:04 编辑

电路

电路
基准电路改中Verf产生的电路部分上的最后一个PMOS不知道为什么它的电流不和前两个一致，而且他们的电流不是应该由下面的I=VBE/R7+(VBE1-VBE2)/R11, 得出与温度无关的电流，对应的求出R11与R7的比值，其中R7=R12。我仿真结果看这俩PMOS都在饱和区，为什么前两个没事，最后一个I3怎么不和前面相等？
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xionghaian
 楼主| 发表于 2014-5-21 20:00:43 | 显示全部楼层
望大神回复 详细点
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feynmancgz
发表于 2014-5-21 20:36:23 | 显示全部楼层
你那两个PNP的base接哪呢？
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SOMANY
发表于 2014-5-22 09:19:46 | 显示全部楼层
本帖最后由 SOMANY 于 2014-5-22 09:30 编辑

很明显I3那个PMOS管工作在线性区，所以产生的电流不一样的！电阻R13太大了！
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reca_recall
发表于 2014-5-22 10:02:05 | 显示全部楼层
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hardfu
发表于 2014-5-22 10:21:02 | 显示全部楼层
把PMOS 的L都增大试试！
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phase2000
发表于 2014-5-22 11:59:28 | 显示全部楼层
1) pnp base should be connect with ground
2) I3 Vds is different with I1 and I2.
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lionlinok
发表于 2014-5-22 12:06:03 | 显示全部楼层
1.保证管子都工作在饱和区。
2.镜像电流跟沟道调制效应有关，理论上只有VREF跟钳位运放输入点电压相等时，三路电流才相等。
  为了尽量减小VDS对匹配的影响影响，建议可以增大L，或者采样cascode结构。
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AcoAco
发表于 2014-5-22 16:58:52 | 显示全部楼层
VDS调制效应导致电流是不同的。也正如已经提到确保双极基地接地。
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xionghaian
 楼主| 发表于 2014-5-23 10:30:55 | 显示全部楼层
回复 3# feynmancgz
我的偏置是给OP了 ，电流I=VBE/R7+(VBE1-VBE2)/R11 产生，这样不可以吗
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