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[求助] 浮栅EEPROM设计方案

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发表于 2014-5-14 08:46:13 | 显示全部楼层 |阅读模式

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模电版图艺术11.3.2(Page 406)里面有关于单层多晶硅EEPROM存储器的设计方案我想在5V 0.5um CMOS平台上实现,有没有谁有成功的经验提供一下?
另请问编程时VProg要加多高电压?是否会超过5V器件的耐压?
急求教,非常感谢!!!!!
发表于 2014-6-3 20:46:22 | 显示全部楼层
datasheet應該有寫!
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发表于 2014-10-15 19:55:39 | 显示全部楼层
模电版图艺术 ???
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 楼主| 发表于 2014-10-16 14:26:01 | 显示全部楼层
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发表于 2014-10-18 23:08:23 | 显示全部楼层
希望做存储的同行有人看到吧,这玩意好像不是那么简单
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发表于 2014-10-20 13:28:58 | 显示全部楼层
eeprom是要有工艺支持的,如果工艺不支持,版图无能为力。
我没做过eeprom工艺,但是我感觉eeprom中的副gate oxide应该是技术成本比较高的,市场上MCU通常flash很大很便宜,但eeprom就很小很贵。
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发表于 2014-10-20 13:41:17 | 显示全部楼层
回复 6# zoujunlin


   有自己开发的,没那么恐怖。
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