有关CMOS仿真

lvfeihi · 发表于 2014-3-30 13:13:11

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请问一下：
在做仿真的时候，利用离子注入的方式做一个N-well，能量为360Kev，得到的N-well的深度，大约为0.9μm。

而我在看papers的时候，看到对于普通的CMOS工艺，N-well大约为4μm，高压CMOS为7μm。

能帮忙解释一下吗？谢谢

yuju · 发表于 2014-4-1 21:04:04

路过，期待

lvfeihi · 发表于 2014-4-3 08:48:48

lodestar6666 · 发表于 2014-4-9 21:42:28

注入后还需退火推阱，结深会增加。

xuexue0xue · 发表于 2014-4-11 22:23:34

推结会推这么深吗？

sltu02 · 发表于 2014-4-13 11:00:18

退火有2种，若用RTP方式是沒辦法那麼深的，用爐管退火的話4hr~24hr就會有這麼深

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