MOS管的源漏之间耐压高，还是栅极耐压高呢

wqyk · 发表于 2014-3-13 12:59:09

本帖最后由 wqyk 于 2014-3-13 16:02 编辑

回复 9# fuyibin

芯片正常work时候不会punch through，因为电源电压+10%最多加+20%
但是ESD时候，S/D电压会比较大，通常 ...
fuyibin 发表于 2014-3-13 11:08

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谢谢，在ESD的时候，如果发生了minimum channel length的channel被breakdown，那漏衬底结还会不会被击穿泄放电荷呢？如果需要3.3V的MOS管工作在5V电源上，5V的电源稳定时能保证MOS管各个端口之间的电压小于3.6V，但在每次上电的时候管子的栅漏间、源漏间的电压会有一段时间处在5V左右，大概100us的时间，这样会不会有问题呢？5V没有超过栅氧击穿电压（8V)、源漏的击穿的电压（6V），这样使用会在多大程度上影响MOS管的使用寿命呢，栅极先出现问题还是漏极？