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楼主: anothermomo

[原创] 个人对于高压、低压管子与hvt、lvt管子的一点想法

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发表于 2018-6-15 15:38:12 | 显示全部楼层
请问SVT 的管子呢
发表于 2019-6-6 14:43:06 | 显示全部楼层
有关掺杂浓度,我感觉说反了,HVT的掺杂浓度应该更低才对,若HVT的掺杂浓度高的话,岂不是只要较小的电压以及较快的速度形成反型层了,管子就导通了,欢迎大家讨论,有说得不对的地方,请大家指出来
发表于 2022-9-5 10:55:07 | 显示全部楼层
这里所谓不同阈值晶体管,HVT,RVT,LVT指的是同一VDS电压的device,并不涉及高低压管子,所以也不涉及高中低压区域。

不同阈值的晶体管,只是理论上放在不同区域一致性会好一点。
发表于 2022-12-3 19:14:46 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2022-12-6 09:01:58 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2022-12-23 15:54:24 | 显示全部楼层
学习学习
发表于 2023-1-5 09:15:40 | 显示全部楼层
学习了,谢谢
发表于 2023-6-13 16:10:06 | 显示全部楼层


lianaissmec 发表于 2019-6-6 14:43
有关掺杂浓度,我感觉说反了,HVT的掺杂浓度应该更低才对,若HVT的掺杂浓度高的话,岂不是只要较小的电压以 ...


hvt的掺杂浓度更高,以nmos为例,nmos坐在pwell里 这里的掺杂应该也保函pwell 这里的n沟道如果需要导通,那么加在栅端的电压就要高,因为栅端的电压会排斥多子空穴,吸收少子电子,要想排斥开浓度较高的空穴,那么需要的电压应该就要高。漏电流我不太清楚,我是反过来想的,管子在关闭的过程中时间稍长,那么电流的利用率就高高,相当于绿灯读秒时间长,过马路的行人就多,卡在一半的人就少(莫笑莫笑)。至于功率我是这样想的,因为高掺杂的载流子浓度高,电阻率低W=I2R 电阻小,w就小,功耗就低。不对的请多指正
发表于 2023-6-13 16:26:36 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2023-6-13 17:42:13 | 显示全部楼层
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