功率管L的取值

frankobvip · 发表于 2014-2-10 08:20:59

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一个boost电路，高端Pmos的L值取得大于最小尺寸，约为1um~1.2um，（数字电路中L的值小于等于0.5um，这说明工艺尺寸约为0.35或0.5）请问这可能是什么原因？因为工艺评估一般是以功率管的面积作为参考，一般功率管的L都应该取到能取到的最小尺寸才对啊？
boost电路输入电压1.8~5V 输出电压5V左右

thomas9211 · 发表于 2014-2-10 08:39:56

個人認為取最小尺寸

frankobvip · 发表于 2014-2-10 09:07:26

回复 2# thomas9211

3q,我们这边取得也是最小尺寸，不过我看ti的有一款芯片他们取得不是，也不是高压应用

peterlin2010 · 发表于 2014-2-10 16:27:06

如果 driver 接到IO端
考慮到ESD 問題

因為沒有打 esd implement (need ultra mask layer)
L 會大些
主要是怕ESD

rev2012 · 发表于 2014-2-10 17:34:22

请问这个芯片输出电流是多少啊，300mA？

frankobvip · 发表于 2014-2-11 08:50:53

回复 5# rev2012

最大输出电流1.1A

frankobvip · 发表于 2014-2-11 08:55:39

回复 4# peterlin2010

的确是接到输出端，不过我想这么大的功率管，哪怕是为了防ESD，L增大一倍还多，整个面积多好多，感觉划不来，ESD的要求又不是车载的要求=。=

jiang_shuguo · 发表于 2014-2-11 10:10:26

车载ESD要求多少？8K？

peterlin2010 · 发表于 2014-2-11 10:25:58

要推到 1.1A ?  bonding wire 1mils 也到不了得 double bond .
有個變通方式是 output + ESD_cell.  因為你 mos 很大顆就
堵ESD  走ESD cell ..
不過有時得打ESD 後才知道

還有方式是 contact 少打些增加阻抗一般  esd implement mask layer 就是增加 rd , rs 去提高 esd
  所以會影響 driving能力 .
sink =1.1a  那你的  Vds =?
chip 會不會過熱??

fuyibin · 发表于 2014-2-11 11:56:03

回复 1# frankobvip

power mos是pmos 还nmos?

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