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[讨论] 用SiliconSmart验证NangateOpenCellLibrary 45nm库

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发表于 2014-1-2 16:15:44 | 显示全部楼层 |阅读模式

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1、下载FreePDK45nm、NangateOpenCellLibrary 45nm库,这个到处都有2、生成所需的晶体管模型


perl genptm.pl PMOS PMOS_VTL 17.5 10 -.165 30 1.1 1.1 155
perl genptm.pl NMOS NMOS_VTL 17.5 10 0.165 30 1.1 1.1 155

这个是我自己猜的,哈哈
应为Nangate只说了一句话“characterization was done using the Predictive Technology Model (PTM) from Arizona State University (ASU).”,但是并没有提供晶体管模型。尝试了Predictive Technology Model (PTM)的各种45nm模型,均得不到理想结果。
所以自行设定了晶体管的参数,才搞定(这个晶体管模型也是osu_soc用到的模型)

3、修改configure.tcl中路径为自己的本地路径,引用在上面生成的晶体管模型。
4、跑siliconsmart


目前跑了一个INV_X1
结果是timing还是很吻合的
但是功耗不太对。
leakage_power() {
      when : "A" ;
      value : "3.8678959" ;
    }

Nangate给出的功耗是18.604146,要大很多....
大家一块讨论讨论。。。

附件:
45nm.tar.gz (46.53 KB, 下载次数: 266 )
 楼主| 发表于 2014-1-2 16:23:06 | 显示全部楼层
另外,目前还用Cadence ETS elc跑,结果差别还是蛮大的,也许哪个地方还有问题...
发表于 2014-1-2 17:35:41 | 显示全部楼层
回复 2# 要你命3000


    功耗是这样的,跟计算方法和model有直接的关系。
发表于 2014-3-4 15:44:35 | 显示全部楼层
我也是ELC 跑出来功耗很大,不知道问题出在哪里
发表于 2014-5-28 09:07:31 | 显示全部楼层
各位有用NCX跑过没 ?
不仅是power, 连delay table都差异了
发表于 2014-9-6 14:41:11 | 显示全部楼层
great posty
发表于 2014-12-18 14:20:40 | 显示全部楼层
顶,。。。。。
发表于 2014-12-19 14:17:49 | 显示全部楼层
nandgate就是个教学库吧
发表于 2015-1-20 17:12:35 | 显示全部楼层
。。。。。。。。。。。
发表于 2015-9-1 15:02:08 | 显示全部楼层
Thanks very much. Do you have the 15nm one
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