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[求助] 电荷泵的电容选择

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发表于 2013-11-15 15:30:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
150资产
本帖最后由 vvb6 于 2013-11-18 09:55 编辑

gds

gds

测试参数

测试参数
最近做的项目要用到电荷泵,所以关乎到电容的选择,工艺厂给了两个阱电容的
gds,因为我们做的是数字芯片,边上的人对电容的东西也不了解,有以下疑问,想请大家帮忙解疑。


1.
图中的两个电容,NMPNWA是什么意思?

2.
2.两个电容的细节我放大了在图中显示,区别是NWPPOLYNWAPOLY小,有疑问的地方是多晶所在区域定义的有源区,它也没有用于注入啊,掺杂什么的,那有什么作用?

3.
第二张图是工艺厂测试的电容参数,那个KEITHLEY也没用过,想知道蓝色的Cp_AB和红色的Gp_AB表示什么参数?


希望大神云集的论坛给予我帮助~谢谢

最佳答案

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回复 11# vvb6 Gp:并联电导 Poly 包 Active,部分poly下面没有场氧,所以它的Gp也偏大 Active 包 Poly,poly下面都有场氧,所以它的Gp相对小些
发表于 2013-11-15 15:30:58 | 显示全部楼层
回复 11# vvb6


    Gp:并联电导
    Poly 包 Active,部分poly下面没有场氧,所以它的Gp也偏大
    Active 包 Poly,poly下面都有场氧,所以它的Gp相对小些
发表于 2013-11-15 17:12:58 | 显示全部楼层
这个应该是mos电容,CV曲线说明了
 楼主| 发表于 2013-11-18 09:10:57 | 显示全部楼层
回复 2# xjf20072608


   首先,谢谢你的回答,不过我觉得在N阱中一圈N+注入,不像是MOS结构电容啊;而且mos电容的曲线从-到+的变化由积累→耗尽→反型也不是这样的吧。
发表于 2013-11-18 09:17:02 | 显示全部楼层
看曲线,除非K家测试频率很高,导致反型无法弛豫,才会导致负压反型电容无法翘上去

TO LZ
1/2的区别在于是Active包Poly还是Poly包Active
电容应该由较小的决定
Gp不知道是什么东东
发表于 2013-11-18 11:54:05 | 显示全部楼层
回复 3# vvb6


    这种结构就是MOS电容,叫AMOS。
   你说的曲线从-到+的变化由积累→耗尽→反型 这种是MOS管电容
   mos电容和mos管电容不是一个东东哦。
发表于 2013-11-18 15:56:00 | 显示全部楼层
poly与nwell的之间的电容
一圈n+只是为了给nwell低阻连接
红线是电容的并联电导
发表于 2013-11-18 16:09:50 | 显示全部楼层
回复 5# xjf20072608


    不要瞎捣浆糊哦
    标准的CMOS工艺里有AMOS?
    mos cap 通常是nmos做在nwell里
    利用-vth特性使mos的V型C-V curve 向V负轴平移
    当V>0时,得到更平滑的电容曲线
    根据图里面poly没有盖到active area上面可知,这不是mos
发表于 2013-11-18 16:11:56 | 显示全部楼层
回复 7# nool


    抱歉,我不明白你说的“瞎捣浆糊”是什么意思。

    AMOS电容是兼容标准CMOS工艺的。
 楼主| 发表于 2013-11-18 16:19:16 | 显示全部楼层
回复 5# xjf20072608


   我也意识到我把mos电容和mos管电容混淆了,不过我对你说的AMOS不了解。我会去了解一下的,谢谢你的回答。
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