版图中隔离管的作法（多衬底电位该如何处理）

IC.Michael · 发表于 2013-10-23 19:48:49

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我用的是 CSMC 0.5um 的库。然后现在在做一个比较器的版图，我是通过电路图直接生成单个MOS管版图，然后连接的。衬底电位有GND(0)和VSS(-3.3)两种，然后我看资料论坛说，要把VSS的NMOS做成隔离管，这样在LVS的时候才不会报错，但是一直没查到资料该怎么做。今天又问了老板，老板说做这个需要特殊工艺，csmc这个做不起来。我就郁闷了，新手求指点啊！

thomas2087 · 发表于 2013-10-23 20:47:26

如果有DeepNwell是可以做的。

IC.Michael · 发表于 2013-10-23 21:45:25

回复 2# jiangtaojack

谢谢你的回答哦！如果有DNW的话，直接在VSS的NMOS区域画上一块就相当于是和GND的衬底隔离了，可以这样理解吗？

hszgl · 发表于 2013-10-23 21:49:52

CSMC 0.5um不支持多衬底电位。一个比较器而已，何必要多衬底？

terry8876 · 发表于 2013-10-23 22:25:08

跟做P管类似，有个P阱或类似P阱的区域，在里面做NMOS，这个NMOS就有自己独立的衬底电位了。

IC.Michael · 发表于 2013-10-23 22:25:55

回复 4# hszgl

谢谢你的回答哦！不支持的啊？好吧。这是一个师兄做的电路，我负责做版图的。那就没有其他解决办法了吗？

IC.Michael · 发表于 2013-10-23 22:28:51

回复 5# terry8876

哦。明白了，谢谢你的回答哦！不过，四楼说csmc 0.5 不支持多衬底电位，哎。。。

hszgl · 发表于 2013-10-24 08:11:34

回复 hszgl

谢谢你的回答哦！不支持的啊？好吧。这是一个师兄做的电路，我负责做版图的。那就没有 ...
IC.Michael 发表于 2013-10-23 22:25

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我认为是你对电路的理解有问题，或者是你师兄胡搞。

thomas2087 · 发表于 2013-10-24 09:08:32

回复 3# IC.Michael

是的，相当于做了一个隔离，不与psub接在一起了

IC.Michael · 发表于 2013-10-24 13:32:50

回复 8# hszgl

谢谢！电路如何设计我倒不是特别清楚，老板安排的工作让做版图的。就是电路设计的时候NMOS衬底那块有VSS和GND两个电位了，所以做版图的时候有点纠结。

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