在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
12
返回列表 发新帖
楼主: longqingshan

[求助] 与PAD相连MOS drain 用ESD rule 画有什么好处

[复制链接]
发表于 2013-11-26 14:53:29 | 显示全部楼层
还是防止ESD的,论坛里有资料,下来看看
发表于 2013-12-4 19:05:19 | 显示全部楼层
按照ESDrule画MOS,并且拉开C/G的距离
发表于 2016-10-28 14:06:59 | 显示全部楼层
回复 4# ruinsnku


   非常感谢你的回答  对我很有用!
发表于 2016-11-2 14:47:59 | 显示全部楼层
回复 10# sky_people

electrostatic discharge静电漏电
发表于 2019-11-19 20:47:02 | 显示全部楼层
谢谢
发表于 2022-3-18 16:39:19 | 显示全部楼层


ruinsnku 发表于 2013-9-14 09:38
我看到很多版图中,将与PAD相连的MOS管的漏用ESD rule画? 有必要吗?能改善什么?
     有必要,改善采用m ...


你好,有个问题想请教一下,接pad的mos管做二级ESD防护时,对mos管的finger width有要求么?感谢!
发表于 2022-3-22 22:46:50 | 显示全部楼层
漏极Contact 到Gate 距离 变大 有利于增加漏极电阻,1.ESD电流更不容易流向MOS位置,2.更容易从ESD电路 流过, 有助于提高ESD 鲁棒性
发表于 2022-8-10 16:07:18 | 显示全部楼层
谢谢分享!!!
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-25 09:23 , Processed in 0.019671 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表