PMOS的bulk接到漏端（不是VCC）有什么好处呐？？

fuyibin · 发表于 2013-8-31 21:17:20

回复 5# Jackioe2012

没人会把drain 和body 接到一起

shaq · 发表于 2013-9-1 11:56:07

回复 Jackioe2012

没人会把drain 和body 接到一起
fuyibin 发表于 2013-8-31 21:17

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如果當 diode 使用的話，就另當別論了....

aili965849539 · 发表于 2013-9-1 12:01:56

你确定是接漏端儿不是源端吗？

xuriver2012 · 发表于 2013-9-1 16:16:33

相信是楼主说错了

ygchen2 · 发表于 2013-9-2 10:10:20

回复 Jackioe2012

没人会把drain 和body 接到一起
fuyibin 发表于 2013-8-31 21:17

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Are you sure? How do you know?

fuyibin · 发表于 2013-9-2 11:03:53

Are you sure? How do you know?
ygchen2 发表于 2013-9-2 10:10

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drain结body，就是个doide，MOSFET就没什么意义
也见过在ultra low power design里用body bias的，不过不会接到drain
而是专门给body做一个bias
就在我们正常的design里，pmos 的body接到drain，除了pmos不能正常work
而且drain端toggle会trigger latch up，这莫非也是好处

shaq · 发表于 2013-9-2 20:12:47

drain结body，就是个doide，MOSFET就没什么意义
也见过在ultra low power design里用body bias的，不过 ...
fuyibin 发表于 2013-9-2 11:03

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要用這種型態的 diode, 倒不如用 P+/N-Well diode....

ygchen2 · 发表于 2013-9-2 21:31:44

要用這種型態的 diode, 倒不如用 P+/N-Well diode....
shaq 发表于 2013-9-2 20:12

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还是分享一个应用实例，或许能拓宽一下多数人习惯性思维。。。

LDDevice.pdf (462.25 KB , 下载次数: 58 )

fuyibin · 发表于 2013-9-2 22:12:59

回复 18# ygchen2

呵呵，我就知道你要来举这种例子，早就见过这种号称low power的design，我还有本书呢，当年还挺崇拜他们的，还照着做过，但发现完全cover不住PVT，这帮人纯粹是为了发论文才搞这种歪门邪道的，不要盲目崇拜，IEEE上垃圾多的是

ygchen2 · 发表于 2013-9-3 01:18:22

本帖最后由 ygchen2 于 2013-9-3 01:21 编辑

回复 19# fuyibin

你还真神，这都能猜出来。是谁说没有人会把drain与body连在一起的？你有本书，和你明白书上讲的道理，两者有必然关系吗？你自己试了不行，就能证明这个办法不行吗？你崇拜IEEE上的垃圾就能断定别人也和你一样崇拜垃圾吗？

一个基本常识：工程上证明一种办法不行比证明某种办法可行要难得多。。。

说话前过过脑子没有太大的害处。。。

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