百思不解的基准源

lgy747

回复  qerqing

Vref=K1*ΔVsg+K2*Vsg 中的第二项K2*Vsg是哪来的？
ygchen2 发表于 2013-8-28 04:42

                               
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    问得好！

lgy747

回复  languang1200


    楼主的电路图有错，输出底下要加上一个二极管，可以用NMOS做。
xuriver2012 发表于 2013-8-30 09:34

                               
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    大赞！巨赞！正是这个二极管产生负斜率温度系数

languang1200

回复 23# qerqing


是这样的，这个一个系统芯片里面的基准电压产生电路，输出的是1.024v（这是spec里说明的），这个电压直接是测不到的，但是可以测量以这个电压为基准的LDO输出电压的特性，LDO是以这个1.024为基准输出3.3v电压的。通过电压表和示波器测量，3.3v电压非常稳定，在电源电压5v到3.4v基本不动，温度在烤箱里由室温到80度，电压值也是基本不动，当然可能有变化，但是从仪器测量显示看不到变化可能比较粗糙，但是既然可以供ldo和芯片内部的AD做ref，这个基准的电压和温度特性应该都还是不错的。
至于仿真波形属实是没什么意义，只能输出零点几的电压，而且没有电压和温度的稳定性。标准模型另其工作在饱和区或是降低偏置电流工作在亚阈值区都得不到和实测和spec对应的结果。
但是在芯片其他电路的启动部分看到过用p管栅源同接电源作为常规启动电路中的大电阻的用法。所以感觉此工艺中可能会有耗尽型管，即阈值电压非常低，近乎为零的特性管。
这部分电路我在芯片上review多遍，就是这些东西。如果是常规器件我感觉得不出那样的结果。所以想听听各位的高见，亦或是有人搞过这样的东西。

languang1200

回复 25# ygchen2


   这种可能性可能会有，如果两个同类型的管子工作在同状态下，是不太可能得到那么大的vgs差值。
而且电阻R150被我简化了，芯片中的R150是有很多个小电阻串联并且每个电阻都做了trim选项的。并且可以看出有trim选项可以直接将所有电阻短路，即R150不存在直接接地。

languang1200

回复 27# xuriver2012


    貌似阁下已经了解这个电路的工作原理，能否详细讲讲

至于你说的下面应该有个二极管接法的器件，我可以在到照片里面去看看，但是这部分电路我查过n多遍了，不可能遗漏任何东西基本上，另外上面回复我也说了R150是一串的trim电阻，并且从trim的方式来看有直接零电阻的选项，即去掉R150直接接地，所以芯片中应该是没有那个二极管。
有必要的话，到公司我把R150trim整个部分补贴上。

xuriver2012

回复 35# languang1200

              我也不算是研究清楚了，只不过是按照基准源的原理去推。你目前的电路很明显只能够提供出一个关于delta-Vbe的量，没有Vbe的信息。所以我就帮你在电路的输出下面补上一个二极管产生Vbe。仿真结果证明这样是可行的。如果没有这个管子你的电路输出肯定是正的温度系数。
这里也算是抛砖引玉了，大家有什么高见欢迎指正。

lgy747

如果要取消掉二极管，就要求工艺上提供支持，使电阻为负温度系数，负温度系数并不难，难的是斜率的离散性控制，需要精确的掺杂控制，估计得自己有工艺厂才能办得到。不仅如此，因为基准电压vrf=vth0+voff+mkT/q，它不是帯隙电压。在一般工艺厂，s和f工艺角下vth0离散性很大，直接叠加在vrf上，所以说，我记得有个帖子转述ADI某人的话“就算ADI把电路图给你，你也作不出来”，看来并非吹牛。

hehejiuaixiao

想想输入管是不是 耗尽型的 管子，，，可以去看下耗尽型的基准电压产生电路。。。既然，按照普通的方法解释不通，那么就只有两种可能，要么你的电路图提错了，要么就是用的不是常规器件。。。记得以前MPS的工艺，看起来是一个管子，实际上是一个MOS和Bipolar的结合体，，，所以要仔细哦

zxyurachel

没看明白  坐等大神

widlarfan

Do you know what kind of resistor is used there?