百思不解的基准源

lihaiqi208 · 发表于 2013-8-28 22:25:32

回复 18# kwankwaner
这个电路输入对管工作状态确实费解

languang1200 · 发表于 2013-8-29 08:42:31

回复 languang1200

楼主可以把VREF，VPLUS还有输入管源端的电压图片上传一下吗？
qerqing 发表于 2013-8-28 11:35

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spec中只给了vref的数值，是1.024v，因为这块在电路里是做总的基准源用的，分别由放大器放大2，或4倍后提供给LDO，AD,等等需要基准电压的模块的。所以对于这块电路spec没有特别说明。
用标准模型对这个电路仿真得到的电压数值也没太大的意义，根本得不到spce给出的基准值，不过你说的工作在亚阈值区到时理论上可以解释的通，因为亚阈值区的mos管特性类似于双极管，但是昨天仿真试了一下，在亚阈值区输入对管vgs 之差非常小，只有大概0.3v左右。从输出1.024v和电阻分压来看这也是说不通的。

qerqing · 发表于 2013-8-29 09:16:46

回复 22# languang1200

你说的“实测下来电压特性和温度特性都非常好”是什么意思，实测是指测试结果吗？“温度特性好”是什么意思，是指电压温度曲线是典型的bandgap输出的波浪线吗，还是输出电压随温度增加而线性增加。
听楼主的意思是仿真结果跟测试结果对不上，是这样吗？楼主如果有什么波形不管是测试的还是仿真的，不妨贴上了，让大家看一下

dscd1900 · 发表于 2013-8-29 10:09:14

有意思，而且恐怖，还是搞不明白Vgs是怎么产生的

ygchen2 · 发表于 2013-8-29 11:27:40

本帖最后由 ygchen2 于 2013-8-29 11:38 编辑

spec中只给了vref的数值，是1.024v，因为这块在电路里是做总的基准源用的，分别由放大器放大2，或4倍后 ...
languang1200 发表于 2013-8-29 08:42

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简单看来，真不觉得两个输入管VSG相差大几百毫伏还可能同时处在亚阈值状态。。。所以，猜测是利用了类似mos管ZTC特性，两个输入管是工作在不同的状态，使得Delta Vsg基本不随温度变。。。

xuriver2012 · 发表于 2013-8-29 14:18:25

我认为2楼的解释是正确的，它是一个无bipolar的电压基准源。基本原理也是Vbe同deltaVbe的相加

xuriver2012 · 发表于 2013-8-30 09:34:03

回复 1# languang1200

楼主的电路图有错，输出底下要加上一个二极管，可以用NMOS做。

xuriver2012 · 发表于 2013-8-30 09:40:01

根据我的仿真，可以做出不随温度变化的基准电压，不过在-20C到100C之间的deltaV也不小，也有4mV。

dmny · 发表于 2013-8-30 15:16:56

1）两个PMOS都工作在饱和区
2）计算delta Vgs确实可以发现与阈值电压无关了
3）Vminus-Vplus=delta Vgs
Vplus=电阻分压*Vminus
可以推出Vminus与且只与deltaVgs成正比
4）输出电压Vref=电阻分压*Vout=电阻分压*Vminus，也只与delta Vgs有关。

lgy747 · 发表于 2013-8-30 19:35:06

两个输入P管应该在亚阈值区
左边：Vsg1=ξ*VT*ln(Id/64Io)
右边：Vsg2=ξ*VT*ln(7Id/15Io)
ΔVsg=ξ*VT* ...
qerqing 发表于 2013-8-27 15:49

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图都是错误的，你却在上面诠释开了

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