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楼主: xyshsi

[求助] 比较器中一个powedown管的作用

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发表于 2013-8-27 17:08:18 | 显示全部楼层
可能就是随手加的,可以去掉
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发表于 2013-8-27 23:14:02 | 显示全部楼层
最好加一下M8 因為如果處於power down 狀態  而無M8 M7 的gate會變為 floating 很容易受干擾 這時如果附近有clock 線 couple 到M7 讓M7 不穩定形成通道 解除通道(|Vgs|>Vth, or |Vgs|<Vth) NWELL 裡面會有很多載子在M7 gate(M7 應該滿大顆)下面 跑來跑去 會形成一個雜訊源 造成NWELL電位不穩 所以共用此NEWLL之PMOS都會受到干擾  尤其是直接連到 power 所以此power線上會有很多雜訊 因此還是加M8比較好反正M8都是用minimum size 沒差 加上M8會保證M7一定在cut-off region 最安全
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 楼主| 发表于 2013-8-28 09:02:47 | 显示全部楼层
回复 8# luckyhuihui666


    你的回答很详细,谢谢,M7初始状态需要为高,你的意思是M7的栅为高,还是M7的漏为高?
    不管需要M7的栅是什么电平,Powerdown以后,M7的漏都会被M9拉为高。
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 楼主| 发表于 2013-8-28 09:04:14 | 显示全部楼层
回复 10# aqishisi


    这确实也是应该考虑的问题。
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发表于 2013-8-28 12:34:59 | 显示全部楼层
我认为加了这个管子是有好处的,这样每次比较之前的状态都是一致的。其实在另外一条腿上面最好也加上一个,这样在比较之前两边的环境完全对称,对于消除一些记忆效应是有帮助的。
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发表于 2013-8-29 00:30:51 | 显示全部楼层
回复 13# xyshsi


    因为在你shutdowen这个block的时候并不知道之前的状态,如果你的leakage不大并且关断时间不够长,那你的M7的gate就会保持之前的状态,你能保证之前它是高吗?所以为了make sure,你必须要在shutdown的时候强制拉高,相当于给一个initial的状态。
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 楼主| 发表于 2013-8-31 17:15:49 | 显示全部楼层
回复 12# 朱立平


很有道理   
但考虑到M7的Nwell在layout里是默认连到VDD的,因此,Nwell似乎不会受M7栅压的影响。
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发表于 2013-8-31 19:57:11 | 显示全部楼层
回复 17# xyshsi


    其實NEWLL阻抗很高 如果M7 的gate端是高阻抗點 如果M7的gate又被couple noise 造成 M7開開關關 這時M7的 channel 會形成與消失 carrier 會在NWELL內亂竄 造成NWELL 接近M7的部分 NEWLL電位不穩定 雖然你layout有打bulk contact 讓NEWLL 維持在VDD 但是  因為NEWLL阻抗很高 M7 所在的NWELL附近電位其實不一定是VDD 會一直跳動 這是雜訊源 如果你的NWELL M7 附近有PMOS 那這個PMOS就慘了 Vth會一直跳來跳去 Id也會跳來跳去 所以建議 M7的gate最好在power down時 透過M8接到VDD 反正M8很小 不佔什麼面積
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 楼主| 发表于 2013-9-1 09:21:03 | 显示全部楼层
回复 18# 朱立平


   朱先生,12楼,17楼正解,谢谢!   另问,如果,M2,M3是热阱(hot well),加上M8会不会带来一些影响?
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