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[讨论] 背栅效应与体效应有什么区别

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发表于 2013-8-17 19:49:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

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背栅效应与体效应有什么区别 它们都是影响阈值电压对吧
发表于 2013-8-17 20:16:18 | 显示全部楼层
same thing
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发表于 2013-8-18 11:41:45 | 显示全部楼层
毛泽东和毛润之的关系……
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发表于 2013-8-18 22:09:24 | 显示全部楼层
although the mos is 4 terminal device(D G S B)
but we usually use only 3 terminal (D G S) in normal voltage design,we ignore the Bulk terminal,
in ultra low voltage design,
some resercher use Bulk as fourth terminal to control the mosfet's behavior.
Many papae
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发表于 2013-8-18 22:10:54 | 显示全部楼层
adopt bulk control technique to enhance the circuit.
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发表于 2013-8-18 22:19:28 | 显示全部楼层
3楼解析的很华丽
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发表于 2013-8-19 12:18:43 | 显示全部楼层
回复 3# cyl


    有才
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发表于 2013-8-19 15:43:13 | 显示全部楼层
一样的,叫法不同而已!
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发表于 2013-8-19 15:49:17 | 显示全部楼层
一样的东西,但个人感觉说体效应时,主要是指对阈值电压的影响;讲背栅时主要指对跨导的影响。
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发表于 2013-8-19 22:50:07 | 显示全部楼层

一样的东西,但个人感觉说体效应时,主要是指对阈值电压的影响-->进而影响跨导...
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