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发表于 2013-8-1 22:32:54
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3楼 7楼解释的其实很清楚了~~悬浮电流源使得流过M11的共模电流=0.5*Ib2+I(悬浮电流源),且与VDD无关,因为悬浮电流源电流与VDD无关,所以M11的(Vgs-Vth)由式I=0.5*KP*(W/L)(Vgs-Vth)^2钳位(对于给定W/L).M12和M25和M11是一样的,Vgs-Vth不变,所以M25,M26的Iq是insensitive to VDD的。大神~如果你知道悬浮电流源是如何是“电流源”,即和VDD无关,就别钻牛角尖了~~这个没什么定量好说的,VDD变化多少,M11,M12,M25的栅极电压就变化多少,下面的NMOS管也一样~~ |
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