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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog Layout（版图） › Layout讨论区 › 关于CSMC0.5BCD工艺的一个问题

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查看: 3767|回复: 5

[讨论] 关于CSMC0.5BCD工艺的一个问题

发表于 2013-7-8 21:34:24 | 显示全部楼层 |阅读模式

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下面是CSMC0.5BCD工艺的LDNMOS(ISolation)的结构图和版图上的pcell图（只显示了diff和poly两层）有个问题不明白：
工艺在做LOCOS时用DIFF mask做场氧即结构图上的FOX，那么，LDNMOS栅氧下面的FOX是怎么形成的？（diff mask不需要通过任何的运算得到）

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发表于 2013-7-12 11:07:27 | 显示全部楼层

FOX就是active区域以外的地方全部长场氧，跟其他地方的FOX一起做的

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楼主| 发表于 2013-7-12 14:58:18 | 显示全部楼层

回复 2# mouseyyh

我知道是一起做的，但我不明白，LDNMOS的active在pcell的gate下面是没断开的，那active做场氧的时候怎么在gate（LDNMOS）下面做出的FOX

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发表于 2013-7-12 21:23:20 | 显示全部楼层

这有什么好奇的，这种工艺上就是在硅片上氧化一层之后，再开窗形成ACTIVE区，其他就是FOX。然后再在FOX上面淀积POLYGATE，同时在ACTIVE区进行注入退火之类的工艺。

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发表于 2013-12-7 00:01:32 | 显示全部楼层

楼主大人，如果方便的话，能不能把csmc0.5bcd的pdk发给我一份？论坛里的那个不全……

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发表于 2020-7-7 16:13:13 | 显示全部楼层

Hello, send me this pdk please

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