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求指导啊！工艺仿真MOS器件结构，添加了退火模型后仿真就跑不通了，出现这个问题
Anneal step: Time=90min, Ramp rate=0C/s, Temperature=950.0C
Temperature > minT. Diffusion: On Reaction: Off Assembly: Serial
Mechanics: 0s to 0.01s step : 0.01s temp: 950.0C
DopantBulk Silicon Phosphorus
** Error **
initialization procedure won't run! !
Cannot find Silicon 0, suggestion/s:
Silicon I0
Silicon P3
Silicon I2
Silicon B2
Silicon I3
Silicon I4
Silicon B4
Silicon I5
Silicon I6
Silicon I7
Silicon I8
Silicon I9
Silicon V2
Silicon V3
Silicon V4
Silicon V5
Silicon V6
Silicon V7 |
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发表于 2013-7-4 18:30:39
