LDO在负载变化时振荡的原因

semico_ljj · 发表于 2013-6-27 17:16:14

震荡还是和相位不够有关！
不同的负载不同的相位域度！

thewolftotem · 发表于 2013-6-27 21:13:59

如果是capless，因为没有输出大电容，没有储能元件，在负载快速变化的时候输出变化是巨大的。capless不适合负载瞬变太大的，如果确实需要，必须考虑transient response增强。

Evanpeng · 发表于 2013-6-28 01:13:33

回复 10# hszgl

这个正是我描述的情况。当你转换的时候，电流大，相当于上电，从转换到电流小，电流需要从大到小，这个相当于下电。你是在连续时域工作的。输出有不有cap也很重要，主次极点也很重要，但是不只这些。

hszgl · 发表于 2013-6-28 01:22:03

回复 20# jiang_shuguo

要看下批流片情况了，现在在做测试，尽可能的获得全面点的数据。

hszgl · 发表于 2013-6-28 01:23:41

回复 22# thewolftotem

谢谢。所以接下来考虑还是不采用capless的结构。

hszgl · 发表于 2013-6-28 01:25:53

回复 23# Evanpeng

嗯，谢谢。应该是我对负载情况考虑不足。动态范围比较大，恐怕还是要做外接电容的。

ygchen2 · 发表于 2013-6-28 04:27:09

回复 Evanpeng

嗯，谢谢。应该是我对负载情况考虑不足。动态范围比较大，恐怕还是要做外接电容的 ...
hszgl 发表于 2013-6-28 01:25

登录/注册后可看大图

负载阶跃响应应该是很重要的，不同的补偿方式对该特性也会产生影响。

jiang_shuguo · 发表于 2013-6-28 10:39:25

快速capless ldo用nmos做pass transistor 也可以。但是小电流应用，而且dropout会稍大于pmos的。我想知道你的负载范围。和输入输出电压。

hszgl · 发表于 2013-6-28 16:29:23

本帖最后由 hszgl 于 2013-6-28 16:30 编辑

回复 28# jiang_shuguo

输入电压5.5~24V，输出5V，负载范围，静态时只有几u，电平翻转瞬间可达到10mA。

jiang_shuguo · 发表于 2013-6-28 18:00:13

你用的DMOS还是EHV工艺，测试高压24V输入，工作怎样?不考虑负载转换

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