哪位大神能帮忙解释一下OSE（OD space effect）？

xyche · 发表于 2016-5-10 10:48:55

谢谢！了解了！

hwynhh@163.com · 发表于 2016-5-24 18:42:34

怎么感觉说的跟STI一回事？

skeyer · 发表于 2019-7-5 16:29:20

怎么感觉说的是LOD

binbojiang · 发表于 2021-12-9 09:51:01

fu_wang 发表于 2015-8-27 15:28
有作数字的大神吗？为什么加上end cap cell 可以对OSE 和PSE 有帮助？一直没有搞懂这个问题，之前做数字 ...

会不是这个答案？

第一，它消除了PSE和OSE的影响；
第二，它将所有CORE区域的阱连接起来，在CORE区域形成两个连接成整体的基本区域，即阱里与阱外，也就是将阱里的衬底连在一起，形成“衬底共连”。

503860720 · 发表于 2022-5-20 16:34:06

纵横 · 发表于 2023-4-14 10:54:42

beckdavid 发表于 2013-6-19 13:42
design rule里面有明确说明，可以去查下。简单说下：
65nm以下工艺都出现一些各种各样的效应，如WPE，OSE,P ...

请问一下ose和lod的区别，之前查资料说是lod是距离SA和SB决定，而ose是sti的宽度影响？

d33000 · 发表于 2023-4-14 15:14:23

pph_cq 发表于 2013-7-24 14:55
如果共享一个OD然后在两边加几个dummy mos是不是也可以？

两边SA/SB 一样不均衡

hahaha~ · 发表于 2024-4-9 17:27:20

OD受到STI压力效应的影响导致管子的参数会有变化

hahaha~ · 发表于 2024-4-9 17:36:37

OSE是STI对OD的影响距离STI越近的影响越大会导致边缘管子和内部管子参数不一致

a52030999 · 发表于 2024-4-12 13:24:03

又长知识了~

[求助] 哪位大神能帮忙解释一下OSE（OD space effect）？