哪位大神能帮忙解释一下OSE（OD space effect）？

liuna1987 · 发表于 2013-6-19 10:53:33

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本帖最后由 liuna1987 于 2013-6-19 15:33 编辑

在TSMC的工艺中遇到的，但是不太清楚什么是OSE，能否帮忙解释一下？谢了。

beckdavid · 发表于 2013-6-19 13:42:31

design rule里面有明确说明，可以去查下。简单说下：
65nm以下工艺都出现一些各种各样的效应，如WPE，OSE,PSE等
我一般叫OSE，其实就是STI部分对MOS active区域的应力造成的影响，对于analog
layout影响较大，因为MOS match 不好，举个例子：假如有match是这样的，ABBAABBA（共享
同一块OD），因为OSE的影响，最边上的MOS受到的应力跟中间是有差别的，MOS的SA，SB参数都有变化，
这样match就很不好。所以OD需要单独划分开A B B A，这样你会觉得工艺低了反而面积变大了，是不是？是的，就是这样，实在面积接受不了就这样AA BB BB AA或者AAAA BBBB BBBB AAAA，match效果依次递减

好了，感觉自己好啰嗦

liuna1987 · 发表于 2013-6-19 16:11:27

回复 2# beckdavid
对的，是OSE，我说错了

。我去design rule里面找找看。谢谢你的回答~

zj3114122 · 发表于 2013-7-24 14:24:44

又长知识了~

pph_cq · 发表于 2013-7-24 14:55:00

design rule里面有明确说明，可以去查下。简单说下：
65nm以下工艺都出现一些各种各样的效应，如WPE，OSE, ...
beckdavid 发表于 2013-6-19 13:42

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如果共享一个OD然后在两边加几个dummy mos是不是也可以？

上帝同在 · 发表于 2013-7-24 17:11:14

楼上说的好像是STI效应，OD指的是OXIDE，OSE指的是ANALOG device的S/D端到GATE的距离不一致会影响MOS的电流。所以Analog里面的MOS不能像Digital一样改变MOS之结构。

锦妍桥 · 发表于 2015-1-19 10:45:58

怎么感觉说的都是STI应力效应啊

patrick0999 · 发表于 2015-2-25 11:34:48

與STI無關

fu_wang · 发表于 2015-8-27 15:28:35

本帖最后由 fu_wang 于 2015-8-27 15:29 编辑

有作数字的大神吗？为什么加上end cap cell 可以对OSE 和PSE 有帮助？一直没有搞懂这个问题，之前做数字项目。只是知道在row的两端要加上end cap cell。但是之前看资料时看到end cap对这两个effect 有帮助，具体也木有解释。。

biao070525 · 发表于 2016-1-13 15:15:04

This is due to the varying levels of SDI mechanical stress induced by differences in OD space.

[求助] 哪位大神能帮忙解释一下OSE（OD space effect）？

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