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本帖最后由 a1054958688 于 2013-6-14 12:42 编辑
原理图
我是在ads 2008中仿的 用的tran分析,利用互补交叉耦合管
我用的是tsmc .25 nmos管 、pmos管
计算管子宽长比,尾电流是2mA, 使得gmn等于gmp,满足2*【2/(gmn+gmp)】<=Rp 余量算为2倍。
以gmn的计算为例,在计算gm的时候是按照 饱和区的公式计算 ,gm=sqrt[2*kp*(W/L)*Id], 电流Id算为1mA, 然后查工艺库,计算得到 Kp=un*Cox大约是0.25e-3 。
电感 电容用的理想模型 电感值10nH 电容值是10pF, 这样计算下来振荡频率是0.5G ,电阻值计算下为400ohm。
然后电源用的vpulse 给一个上升时间, 之后在瞬态仿真的100ns之内一直是3.3V。
但是输出电压一直跟电源一样 没有引入振荡 ,只是直流分压关系。
希望不吝赐教
电路图如上图所示: |
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