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[求助] 求大神帮忙看下图振荡器(托马斯李书上的图)--续集,不好意思各位大神我又不会了。。

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发表于 2013-5-13 10:35:29 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 Ronalren 于 2013-5-13 10:36 编辑

未命名.jpg
    原理图稍微改了一些,主要是尾电流源换成了一个NMOS管来做,电流大小都估算过的。还有就是两边稍微不对称了,做负阻的NMOS管的l也调整了大小。求看图。。为毛还不起振,M5的漏极还是只会随着vdd(图中用的vsin)的正弦波形而变化,频率为vsin的频率,只是幅值会随着时间越来越大,怎样调整才能起振啊。。。。还有怎样让幅值稳定下来?求大神帮忙。。。
发表于 2013-5-13 13:32:10 | 显示全部楼层
你把nmos直接当成一个VARACTOR来用是什么意思,你电感=8p??!!!你知道你的LC tank在什么频率振荡吗?你两个cross couple的nmos为什么要不对称?建议你先去多看看书和文献再来做电路吧。
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发表于 2013-5-13 13:45:28 | 显示全部楼层
VARACTOR应该是频率可控吧?这个见过类似的结构。细节没琢磨过。另外,楼主的VARACTOR是不是该把vctrl加在SBD端,而不是gate端。一般这个结构电感是做在片外的,电感值和品质因数都有很高要求。如果作为高品质频率源,片内集成电感可能很难满足要求吧?这个结构没自己琢磨过,细节就不清楚了。
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发表于 2013-5-13 20:21:03 | 显示全部楼层
电感加大,varactor 换过来
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 楼主| 发表于 2013-5-14 08:46:30 | 显示全部楼层
回复 2# 211lili


    小弟刚刚入门,菜鸟一个,好多不懂的,多谢大神指教。
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 楼主| 发表于 2013-5-14 09:03:03 | 显示全部楼层
回复 3# stone1005


    好的,多谢指点,我反过来试试~原理是MIS结构的C-V特性,半导体物理中的。
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发表于 2013-5-14 09:04:06 | 显示全部楼层
回复 1# Ronalren


   1) 你的VARACTOR有问题,不是接成平行板而应该是二极管,电压加在那边到时无所谓,只要保证是反偏就行。你可以先加上直流电压试试看
2)下面的两个NMOS要一致,不能起振可以从两方面考虑,一个是增大gm,这个可以通过增大尾电流或负阻管的W/L;另一个要看下电路的增益是否够
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 楼主| 发表于 2013-5-14 09:09:07 | 显示全部楼层
回复 4# 吾老公


    多谢帮助。
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 楼主| 发表于 2013-5-14 09:10:34 | 显示全部楼层
回复 7# 星空吴


   谢谢谢谢!我现在就去改电路。
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