BCD工艺要注意点什么？兄弟们讨论讨论......谢谢！

版图_小白 · 发表于 2022-2-11 15:45:07

期待一下

大智167 · 发表于 2022-3-4 11:09:33

蹲

就爱扎金花 · 发表于 2022-4-6 20:19:10

BCD工艺与CMOS工艺的主要区别在于DNW的层次，隔离nwell电位；pmos为五端器件多sub端；nmos为六端器件多ISO和sub端；衬底电位不同需要做隔离；避免软连接。

豆皮 · 发表于 2022-4-13 10:00:12

想问一下，大家一般怎么叫BCD比CMOS多出来的那个HEI那一层啊？隔层吗？

liaohero · 发表于 2022-4-19 12:07:11

看design rule

郭若鱼 · 发表于 2023-1-4 17:24:01

CKH 发表于 2021-1-5 20:35
1)电流密度，从metal到最下面的diffusion
2)Rdson和metal的寄生电阻
3)Gate上的RC是否会影响mos管开关的均 ...

感谢大神分享

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