如下图0.18普通CMOS工艺能不能接13V！

yj5520379 · 发表于 2013-4-29 08:31:32

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如图0.18普通CMOS工艺，1、二极管的正极能否接负13v电压，还有接了会不会击穿阱和衬底。2、在负极接13V电压是否可行，会不会使阱和衬底之间击穿。还有如果大神知道接高压会导致其他后果，希望能详细说明，谢谢了！

蘑菇要冷静 · 发表于 2013-4-29 09:10:56

那你要查，BVGS BVDS的值了据经验看BVDS不会超过4V如果是纯CMOS工艺.

yj5520379 · 发表于 2013-4-29 14:21:57

只有1.8V和3.3V的mos管，工艺中也有bipolar层次但不知道能抗这个电压不。

蘑菇要冷静 · 发表于 2013-4-29 17:46:01

唉，这个我就不了解了。你需要问问foundry了

zphcd · 发表于 2013-4-30 12:10:43

0.18普通CMOS工艺只有 1.8V 和 3.3 V 器件。我们现在用的是 EFLASH 工艺耐压可以做到 12 V

yj5520379 · 发表于 2013-5-2 15:25:36

回复 5# zphcd

非常感谢！

zhuyujun · 发表于 2013-5-3 13:02:58

没碰到过！应该不行！

cogenda · 发表于 2013-5-4 00:00:22

标准工艺里的N阱掺杂太高，达不到你的耐压要求的。

yj5520379 · 发表于 2013-5-4 10:25:52

回复 8# cogenda

CIS工艺可能行得通不？

Zappa · 发表于 2013-6-12 22:18:37

楼主要做SPAD吗

[求助] 如下图0.18普通CMOS工艺能不能接13V！