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发表于 2013-5-14 11:45:26
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mos cap 是OXIDE 夠薄,
PIP or MIM 都須要多層MASK 去把IMD 吃到夠薄
否則你可去看高壓 mos 的CAP 有多小??
光自己畫 metal1 metal2 垂直方向寄生間的電容因為隔很遠.. 電容其實是不大
除非你畫的相當相當大..
有些人因為 MOS CAP 低壓下, 除 高壓對稱MOS 外沒其他,
但高壓MOS 是 dual gate process 才有的,
但是 有些BCD PROCESS 只有 drain耐 壓 ,
GATE 只有耐低壓,
有人是用 metal 間畫橫向 finger type ..就是拿寄生電容
拿來用, 但是這要畫的很大很大.. |
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