电容的疑问

silverpuma · 发表于 2013-4-24 17:22:40

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PMOS管三端接地，栅极滤波和NMOS管三端接地，栅极滤波有什么区别啊？

nature19900303 · 发表于 2013-4-24 19:42:16

你说的是源漏衬三端接地吗？电容的大小应该主要看器件的尺寸了，由于PMOS做在N阱中，而NMOS做在衬底上，故电容可能会有一些差别，但这个影响应该不大吧。

silverpuma · 发表于 2013-4-25 17:00:51

回复 2# nature19900303

恩，是那样接的。那相同尺寸的PMOS管和NMOS管呢？我看到有一个芯片里面的对地电容全部都是用PMOS管做的。。。。

nature19900303 · 发表于 2013-4-25 17:31:14

一个解释：
用PMOS做电容的时候，PMOS的NWELL与衬底（p型）形成一个反偏二极管，当地线上来一个瞬间大电流，能通过这个来对mos电容栅极进行保护。当然，在栅极上加一个小电阻是常用的做法。

但是PMOS的电容比NMOS的电容小，如果不考虑ESD的可靠性方面，单从电容滤波方面考虑的话，NMOS应该比PMOS好

silverpuma · 发表于 2013-4-26 11:42:07

回复 4# nature19900303

那为什么PMOS的电容会比NMOS小呢？

semico_ljj · 发表于 2013-4-26 14:05:01

一个正偏，一个反偏

semico_ljj · 发表于 2013-4-26 14:27:11

一个耗尽，一个积累

nature19900303 · 发表于 2013-4-26 15:18:05

回复 5# silverpuma

这与工艺有关了，P型衬底中已有P型掺杂，而在形成N阱时，又会进行一次N型掺杂，且掺杂浓度更高，这一方面导致晶格收到一定程度的破坏，另一方面，由于该MOS管电容利用栅氧化层下面的反型层存储电荷，而置于N阱中的PMOS反型层中的是空穴，空穴的迁移率低于电子的迁移率，这也使PMOS电容存储电荷比NMOS慢，最后，PMOS的阈值电压比NMOS高，所以，同样的压差下，PMOS电容不如NMOS。

如楼上所说，当二者的源漏衬都接地时，PMOS正偏，NMOS反型。

yuwenjuan · 发表于 2018-8-27 17:03:47

回复 7# semico_ljj
您好，请问一下，NMOS的漏源栅接一起并接为地用作电容，这个电容的电容值大小怎么确定啊

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