拉扎维书上的基准源流片后出现的问题HHNEC 0.13um

afliek · 发表于 2013-3-15 14:46:11

这个电路的iout会随温度升高而加大，会不会是因为你片子内部digital部分工作频率高了，导致芯片内部温度升高 ...
bananawolf 发表于 2013-3-15 00:46

登录/注册后可看大图

这个方面的因素已经考虑过了，整个电路也就几十uA的电流，不会使内部温度升高。

afliek · 发表于 2013-3-15 14:52:08

你设计的问题应该不大，应该是结构选取的问题了，应该搞个高PSRR的。你Rs上压降较小，你可以看下在VDD变化时 ...
jiang_shuguo 发表于 2013-3-15 08:57

登录/注册后可看大图

主要是想弄清楚此结构出现这种现象的原因，现在是VDD的直流点没有变化，1uA的输出电流，说Rs上压降较小的理由在哪里?PSRR太小？

chudong · 发表于 2013-3-15 16:45:45

lz能不能把测试电路也发上来,电流是通过什么测得的??

afliek · 发表于 2013-3-15 22:44:47

lz能不能把测试电路也发上来,电流是通过什么测得的??
chudong 发表于 2013-3-15 16:45

登录/注册后可看大图

测试电路是通过连接p管的栅极镜像一路电流，然后再外串一个1M的电阻测试其压降得来

fengchunyi_2011 · 发表于 2013-3-16 11:55:11

回复 19# jiang_shuguo

支持jiang的观点，可以测试下当VDD从1.8V上升到2.1V（300mV）时电流是不是也变大了20%，如果是这样就可以解释了。

omnik · 发表于 2020-4-20 22:23:28

D:\svn\svn2\trunk\5_i5_plus\shilan\I5+_PCB7.1_LS4_9935D2_FPGA7.12_200402

newrfdesign · 发表于 2020-8-24 17:25:50

Thanks for sharing.

[求助] 拉扎维书上的基准源流片后出现的问题HHNEC 0.13um