拉扎维书上的基准源流片后出现的问题HHNEC 0.13um

afliek · 发表于 2013-3-13 22:33:14

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本帖最后由 afliek 于 2013-3-13 22:36 编辑

工艺是HHNEC 0.13um的工艺，芯片中所用的基准电流源就是拉扎维图11.3上的基准电流源（启动电路未画出），只是在两个栅极用了几十ff的电容稳定电压，电源电压1.8V，用于产生的近1uA的电流Iout，电阻Rs上压降大概24mV，流片后发现测试输出的Iout电流大小易受VDD干扰，因为芯片内有高频数字电路，当VDD上有300mV且10M以上固定频率干扰时（这时VDD的直流等效电压未变化），输出电流Iout会随着干扰频率的升高而变大，在20M频率干扰时电流会变大了20%左右，求助有哪位大牛能解释一下这个现象

afliek · 发表于 2013-3-13 22:39:23

别沉了，先顶一顶

haozhou812 · 发表于 2013-3-13 22:58:41

10M以上的干扰已经算是高频了。书上的理论推导其实简化了很多条件，并不是说这个电路的电源抑制能力在高频下也能很好。lz仿真时有没仿输出电流的PSRR？再者版图呢？后仿的情况呢？

afliek · 发表于 2013-3-13 23:03:44

后仿做过的，PSRR肯定不会很好，但是再不好也不应该会影响Iout的直流输出大小呀，最多是Iout上会叠加高频的干扰信号

fengchunyi_2011 · 发表于 2013-3-14 08:26:29

如果在VDD上加高频信号源，后仿电路的瞬态特性，这样就和实际测试电路的环境类似了，不要仿真AC哦，看看输出电流是否随着高频信号源的频率而变化呢。。。

jiang_shuguo · 发表于 2013-3-14 11:28:52

这4个管子的L你用的多大？

jamesccp · 发表于 2013-3-14 16:02:47

管子的工作状态都没问题吧？ W/L 是多少？
不过RS上的压降个人感觉比较小。

TianBian365 · 发表于 2013-3-14 18:45:42

问题不难回答：
1. 这个结构PSR不好。
2. 高频信号使得电路的镜像节点DC电压飘移。
飘移的原因是环路增益太小.（如 Rs 不够大）

TianBian365 · 发表于 2013-3-14 18:49:52

再一点补充：
不要认为高频信号就是理想的对称的干扰！正因为这点，DC点就会飘移。。。
不要混淆了仿真时候加加正弦高频噪声在power上就作出实际噪声也如此的结论。。切忌！

afliek · 发表于 2013-3-14 22:47:22

回复 5# fengchunyi_2011

加过高频信号源进行tran仿真的，DC点并不随频率变化的

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