TB和DN的意义

jackioe · 发表于 2013-3-13 19:29:19

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TB--NWELL
DN--DEEP NWELL

为什么Pmos做好后要整个覆盖一层DN啊（工艺上），而且TB与DN的间距0.4，那么DN与TO（ACTIVE REGION）有要求没啊

nickfury · 发表于 2013-3-13 22:55:12

本帖最后由 nickfury 于 2013-3-13 23:42 编辑

第一个问题，DN 有两种解释第一种， Deep n well 是CMOS 工艺中的埋层。用来隔离衬底噪声，需要TB作为它的电位
，这种阱注入的深但是浓度不大，因为要在上面做P-WELL。

第二种，就是一个单独的井和NWELL一样只是比TB深（这个阱浓度我无法确认）。SMIC就有这样的工艺。

区分它们看一看PDK中有木有NPN，有NPN就是第一种，没有就是第二种。

第二个问题，TB和 DN 都会产生一些 proximity effect。在工艺中做的阱，先离子注入（因该是磷注入）之后的工序是推阱，退火。过程中注入的磷离子像墨水一样向四面八方扩散，在版图中看来就是上下左右扩散，DB TB实际面积都比你画的要大。这两种井当然不能有任何连接啦。所以有间隔。
第三个问题，NWELL和TO 要不就是 enclose 要不是 space 不太可能是 cut 或者cross

jackioe · 发表于 2013-3-14 20:09:58

第一个问题，DN 有两种解释第一种， Deep n well 是CMOS 工艺中的埋层。用来隔离衬底噪声，需要TB作为它 ...
nickfury 发表于 2013-3-13 22:55

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受用了，谢谢

何为proximity effect

spice要求是DN到TB是2.0，貌似没有什么DN到TO的间距，DN怎么定位呢？

nickfury · 发表于 2013-3-14 20:31:39

受用了，谢谢

何为proximity effect

spice要求是DN到TB是2.0，貌似没有什么DN到 ...
jackioe 发表于 2013-3-14 20:09

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DN解释的很详细啊，我看你提供这条DRC ，估计DN是第一种作用，就是当N buried。

巍峨山 · 发表于 2013-3-17 12:55:27

区分它们看一看PDK中有木有NPN，有NPN就是第一种
请问一下NPN是指三级管还是指层次

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