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查看: 3416|回复: 5

[求助] 请教 怎么获得器件内部各个CMOS结构的栅氧化层厚度

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发表于 2013-3-5 22:45:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
500资产
本人是菜鸟 请教各位大神?
比如有一个MOS器件,怎么获得器件内部各个CMOS结构的栅氧化层厚度,沟道的宽度、长度,导带的宽度、长度
通过软件可以得到吗? 版图设计软件可以吗?
具体什么文件能包含这些信息?
还是只有foundry才能有这些信息?

另外 器件内部的电参数怎么获得呢 例如每个CMOS结构的栅源电压、栅氧化层电场强度等等

 楼主| 发表于 2013-3-6 09:46:11 | 显示全部楼层
有没有哪位大神帮帮我呀~
发表于 2013-3-6 17:55:53 | 显示全部楼层
栅氧化层厚度等器件参数是有工艺决定的,术语公司内部数据,一般在specification上有说明,不需要你自己找的。
 楼主| 发表于 2013-3-7 19:01:44 | 显示全部楼层
回复 3# louis506660842

多谢你的回复~
你的意思就是氧化层厚度 沟道长度 宽度什么的都是工艺参数 厂家会提供?我想知道在版图设计软件里面能不能提取这些参数? 或者什么软件可以提取这些参数?
另外 就是那些电参数是怎么获得的呢?
多谢~
发表于 2013-3-13 05:51:44 | 显示全部楼层
回复 4# zyhdbh


    这些参数都是foundary提供的,不同的process,其参数也不同。
 楼主| 发表于 2013-3-13 09:16:14 | 显示全部楼层
回复 5# cliassh

多谢你的回复 我的另一个帖子里有人回复的比较详细了~
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