流片失败问题

gy83129698 · 发表于 2013-3-4 15:49:54

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做了一个比较器，流片后出现了问题，请问下原因：
我分析是这样的，本来nmos的bulk是接到低电平的，也就是地上，但是我们做版图的时候把nmos的bulk和s接到一起了，是不是信号就从d直接流到s再流到gnd上了？从而引起的问题呢？请有经验的大神解答。
（lvs&DRC）均已通过，是不是LVS&DRC也检查不出来这种问题呢？

jiang_shuguo · 发表于 2013-3-4 16:14:48

你有才，没有deep nwell 你也敢将nmos 衬底接地？你好好看看工艺书。浪费流片机会！

etiet · 发表于 2013-3-4 16:55:55

这个是不是用了deep Nwell的啊，否则为什么LVS检查不出来错，或者在画版图时为了过LVS在这一块另外画了一个衬底。

wind2000sp3 · 发表于 2013-3-4 17:17:05

不知道你的电路啥样，如果电路里面的S是抬起来的没有接到GND的话，那么你的Bulk也应该没有接到GND。
这样的话，版图怎么可能过lvs呢？你们的lvs命令里面，衬底不是soft tie么？
如果lvs里面没有定义衬底soft tie，那只能说你们的设计流程管理问题不小啊。

gy83129698 · 发表于 2013-3-4 22:20:21

回复 2# jiang_shuguo

我们是基本上整个模拟部分是放在一个大的deep nwell中，只有少数几个需要接独立电位的pmos管处将deep nwell 挖了几个洞。
。

xiaowanzi88 · 发表于 2013-3-5 00:10:50

这样结构的NMOS的deep nwell需要单独画，还要考虑不同电位的deep nwell之间有时候寄生channel。

fortissimo.g · 发表于 2013-3-5 00:30:48

本帖最后由 fortissimo.g 于 2013-3-5 00:32 编辑

回复 5# gy83129698

那也是不行的

lky000000 · 发表于 2013-3-5 08:59:58

应该不会，不然你怎么通过lvs的，你要通过一些监测点看看问题出在哪里

lgy747 · 发表于 2013-3-5 10:12:36

你有才，没有deep nwell 你也敢将nmos 衬底接地？你好好看看工艺书。浪费流片机会！
jiang_shuguo 发表于 2013-3-4 16:14

登录/注册后可看大图

我看最有才的是你，看看逻辑关系：出现问题，楼主分析猜测，你以楼主的分析猜测为基础进行2次分析，楼主一旦找错方向你对个鸟，楼主既没有出图，又没有提deep nwell ，你叫什么！

jiang_shuguo · 发表于 2013-3-5 13:20:38

回复 9# lgy747

你够狠

！

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