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[原创] 分享一个手机esd测试发现的实际案例

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发表于 2013-2-2 18:52:02 | 显示全部楼层 |阅读模式

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asic ESD有点距离,属于系统ESD范畴。仅仅分享个故事

我负责的手机项目做了一个功能,为了防止外置tf卡槽内的tf sd卡发生意外错误无法恢复。对卡的发生错误时的错误处理做了改进,关掉卡电并且切换IO为input状态一段时间,重新上电。软件的这种保护反应速度可能是10ms~500ms之间。

这个功能意外解决了手机卡槽处ESD的问题。当ESD发生时,软件关掉电源使得卡处于下电状态,慢慢通过IO放电。

然而,由于ZF强制要求使用某品牌SD卡,发现当使用正脉冲时没有问题,使用负脉冲6KV时,2次脉冲间隔1秒就可以让卡片永久性损坏。
这张SD卡使用的台湾某著名控制器,Flash也是韩国一线厂商供货,并且有著名实验室的ESD测试报告。我们发现这个问题后,这个问题如果大面积引发退货,有可能的面临巨大损失。

问题: 什么问题可能导致负脉冲芯片彻底损坏? 是卡控制器设计问题还是封装问题?
发表于 2013-6-14 09:39:06 | 显示全部楼层
为什么会有负脉冲6KV ?
发表于 2013-7-6 08:11:46 | 显示全部楼层
这个问题是不好回答的
发表于 2013-7-11 22:07:04 | 显示全部楼层
ESD应力电压本身就有正有负啊。
HBM一般小于2KV(OK),2KV~4KV(safe),大于4KV(good)。
MM做到400V能过也行了啊。
发表于 2014-1-2 20:48:37 | 显示全部楼层
楼主你好,我想问几个问题啊~
1,在SD Card接口部分为什么不采用TVS管进行防护呢?是为了降低成本吗?
2,若不采用额外的防护,只利用手机和SD Card本身的防护可以达到IEC61000-4-2标准吗?
发表于 2014-1-3 17:39:36 | 显示全部楼层
一切皆有可能,如果ESD问题能通过这么一段文字就能定位问题,那就简单多了
发表于 2014-6-30 14:43:45 | 显示全部楼层
我们一个soc芯片在进行系统级ESD测试时会出现死机、低功耗下电流偏大现象,尤其是用负电压打ESD时更易出现此问题,楼主有什么建议吗?谢谢
发表于 2014-8-12 17:58:57 | 显示全部楼层
回复 7# xdylang


    楼上,感觉是有mos损伤,ESD打坏了电路;
发表于 2014-8-18 20:44:00 | 显示全部楼层
下来看看 学习中
发表于 2014-9-3 16:41:13 | 显示全部楼层
如果正压没问题,只是负压有问题, 说明负压无法泻放,可能有管子阻碍放电。 要看看具体电路。
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